О нас
S
T
О нас -
Компания основана
Наша компания организована в 2013 году на базе фундаментальных методов роста и обработки синтетических кристаллов, использующие современные методы роста. Компания находиться в Израиле , в технологическом парке Омер и включает в себя все необходимую структуру производства и проверки качества.
На протяжении многих лет компания завоевала доверие клиентов внутри страны и за рубежом. Наши основы это полное доверие и взаимопонимание с покупателем , гибкий подход в обсуждения сроков поставки и разработке технического задание.
Компания MOSDAN technologies and manufactory была основана в августе 2013 года в Израиле, завод расположен в - Омере
Мы объединили и создали профессиональную команду из специалистов нескольких стран мира. Инженеры-технологи из Израиля, России и Швейцарии составляют коллектив, которому посильно решить любую проблему, удовлетворяющие требованием заказчика.
Наша международная команда специалистов в области кристаллографии в кратчайшие сроки разработают техническое предложение заказчику для максимально быстрого и качественного выполнения заказа.
Наш прогресс
Наши специалисты имеют огромный опыт в области выращивания кристаллов
На предприятии создано производство
по выращиванию синтетического сапфира
Начало продаж часовых и оптических
сапфировых компонентов
Открытие региональных представительств
За основу производства мы взяли уникальный метод роста кристаллов, был разработанный в Российском Институте Кристаллографии им. Шубникова.
Автором стал известный кристаллограф Академик г-н Багдасаров. Метод Горизонтально направленной кристаллизации получил широкое применение при получении тугоплавких синтетических материалов.
Одно из достоинств данного метода является относительная простота и экономичность применяемых в процессе роста конструктивных материалов. Он дает возможность получать крупные кристаллы высокого качества и имеет ряд преимуществ над другими методами роста кристаллов.
Промышленный сапфир многие годы удивляет своими физическими и химическими свойствами, и делают его предпочтительным материалом для различных областей применения. За многие годы производство сапфира совершенствовалась, и находило новые горизонты применения в науке и технике.
-особое удаление пузырей из зоны расплава.
-низкий уровень внутренних напряжений и мала плотность дислокаций выращенного кристалла.
-отсутствие электромагнитного поля.
- эффективное удаление примесей
- возможность производить кристаллы в заданной кристаллографической ориентацией.
Свяжитесь с нами
ВСЕ МАТЕРИАЛЫ ДАННОГО САЙТА ЯВЛЯЮТСЯ ОБЪЕКТАМИ АВТОРСКОГО ПРАВА "MOSDAN technologies and manufactory " © 2017-2021